2015年下半年是充电技术爆发的元年,各种集成快充功能的电子产品相继面世,而快充移动电源方案也不甘落后,有的产品更是充电和放电都采用了充电的技术。作为消费者却不是每个人都在使用这类快充的产品,甚至有的人还不知道,高通QC2.0快充还没用上,而QC3.0却已经正式发布了。据报道,高通在宣布骁龙430、617的两款新品的同时,还发布了新一代充电技术:Quick Charge 3.0,号称比上一代效率提升38%,充电速度高达27%,同时帮助保护电池寿命周期。 据高通介绍,Quick Charge 3.0首次采用了“优秀电压智能协商”(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage,INOV)算法,可在任意时刻实现优秀功率传输,且大化效率。 据了解,Quick Charge 3.0能在大约35分钟内将一部典型的手机从零电量充电至80%,而不具备Quick Charge的传统移动终端通常需要大致一个半小时的时间。相比两代产品: 1、与Quick Charge 2.0相比,提高充电速度高达27%,或减少功率损耗高达45%。 2、比Quick Charge 1.0快2倍的充电速度。 充电电压方面,Quick Charge 2.0提供5V、9V、12V和20V四档充电电压,Quick Charge 3.0则以200mV增量为一档,提供从3.6V到20V电压的灵活选择。这将允许手机获得恰到好处的电压,达到预期的充电电流,从而小化电量损失、提高充电效率并改善热表现。 此外,Quick Charge 3.0能够与Quick Charge之前的版本及充电器前向和后向兼容,并且拥有同样的超快充电速度,以及独立电路,为OEM厂商提供更灵活的选择,还有帮助达到质量和安全标准的UL认证。 首批支持Quick Charge 3.0技术的处理器包括骁龙820、骁龙620、骁龙618、骁龙617和骁龙430,终端预计明年上市. PI高通QC3.0识别协议芯片CHY103D
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